Собственное производство памяти DDR5 позволит Китаю снизить зависимость от иностранных поставщиков в условиях дефицита.

На Китайской международной выставке полупроводников ChangXin Memory Technologies официально представила свои чипы памяти DDR5 и LPDDR5X. Этот шаг знаменует выход компании на рынок DRAM нового поколения. Компания намерена составить конкуренцию мировым лидерам — Samsung, SK Hynix и Micron.

Память CXMT DDR5 предлагает плотность 16 Гбит и 24 Гбит и поддерживает скорость передачи данных до 8000 МТ/с. Компания разработала комплексное семейство продуктов, включающее модули UDIMM, SODIMM, RDIMM, CSODIMM, CUDIMM и TFF MRDIMM. Эти решения будут ориентированы на различные рыночные сегменты, включая центры обработки данных и настольные ПК.